Mahsulot tavsifi
Kompaniyamiz grafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bo'yicha SiC qoplama jarayoni xizmatlarini taqdim etadi, shuning uchun uglerod va kremniy o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza SiC molekulalarini, qoplangan materiallar yuzasiga yotqizilgan molekulalarni, SIC himoya qatlamini hosil qiladi.
Asosiy xususiyatlar:
1. Yuqori haroratli oksidlanish qarshiligi:
harorat 1600 S gacha bo'lganida oksidlanish qarshiligi hali ham juda yaxshi.
2. Yuqori tozalik: yuqori haroratli xlorlash sharoitida kimyoviy bug'larni cho'ktirish orqali amalga oshiriladi.
3. Eroziyaga chidamlilik: yuqori qattiqlik, ixcham sirt, nozik zarralar.
4. Korroziyaga chidamliligi: kislota, gidroksidi, tuz va organik reagentlar.
CVD-SIC qoplamasining asosiy xususiyatlari
| SiC-CVD xususiyatlari | ||
| Kristal tuzilishi | FCC b fazasi | |
| Zichlik | g/sm³ | 3.21 |
| Qattiqlik | Vickers qattiqligi | 2500 |
| Don hajmi | mkm | 2~10 |
| Kimyoviy tozalik | % | 99.99995 |
| Issiqlik quvvati | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatsiya harorati | ℃ | 2700 |
| Feleksual kuch | MPa (RT 4 ball) | 415 |
| Yosh moduli | Gpa (4pt egilish, 1300℃) | 430 |
| Termal kengayish (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Issiqlik o'tkazuvchanligi | (Vt/mK) | 300 |
-
MOCVD uchun SiC qoplangan grafit asosli susseptorlar
-
Ilg'or LMJ microjet texnologiyasi lazerini taqdim eting ...
-
SiC qoplama suyuq fazali barrel epi tizimi
-
SiC bilan qoplangan epitaksial reaktor barrel
-
Reaktsiya sinterlangan silikon karbid gofret qayig'i
-
Silikon karbid qoplamali grafit ushlagichi...