Semicera turli komponentlar va tashuvchilar uchun maxsus tantal karbid (TaC) qoplamalarini taqdim etadi.Semicera etakchi qoplama jarayoni tantal karbid (TaC) qoplamalariga yuqori tozalik, yuqori harorat barqarorligi va yuqori kimyoviy bardoshlik, SIC / GAN kristallari va EPI qatlamlarining mahsulot sifatini yaxshilash imkonini beradi (Grafit bilan qoplangan TaC sensori) va asosiy reaktor komponentlarining ishlash muddatini uzaytirish. Tantal karbidli TaC qoplamasidan foydalanish chekka muammosini hal qilish va kristall o'sishi sifatini yaxshilashdir va Semicera xalqaro ilg'or darajaga yetib, tantal karbid qoplama texnologiyasini (CVD) hal qildi.
Ko'p yillik rivojlanishdan so'ng Semicera texnologiyasini zabt etdiCVD TaCAR-GE bo'limining birgalikdagi sa'y-harakatlari bilan. SiC gofretlarining o'sish jarayonida nuqsonlar paydo bo'lishi oson, lekin foydalanishdan keyinTaC, farq sezilarli. Quyida TaC bo'lgan va bo'lmagan gofretlarni, shuningdek, bitta kristall o'sishi uchun Semicera qismlarini taqqoslash keltirilgan.
TaC bilan va holda
TaC dan foydalangandan so'ng (o'ngda)
Bundan tashqari, Semicera kompaniyasining TaC qoplama mahsulotlarining xizmat qilish muddati SiC qoplamasiga qaraganda uzoqroq va yuqori haroratga chidamli. Uzoq vaqt davomida laboratoriya o'lchovlari ma'lumotlaridan so'ng, bizning TaC uzoq vaqt davomida maksimal 2300 daraja Selsiyda ishlashi mumkin. Quyida bizning namunalarimizdan ba'zilari keltirilgan:
(a) PVT usuli bo'yicha SiC monokristalli quyma o'stirish moslamasining sxematik diagrammasi (b) Yuqori TaC bilan qoplangan urug'lik qavs (shu jumladan SiC urug'i) (c) TAC bilan qoplangan grafit yo'riqnomasi
-
Yuqori tozalikdagi kremniy karbid kristalli qayiq tashish...
-
MOCVD uchun silikon karbid (SiC) gofret ushlagichlari
-
Barda SiC qoplamali kremniy epitaksial cho'kma ...
-
Suyuq fazali epitaksiya uchun SiC qoplamali barrelli reaktor
-
SiC qoplamali grafit gofret ushlagichi
-
Epitaksial uchun yarimo'tkazgichning ikkinchi yarmi qismlari