Bugungi elektron texnologiya sohasida yarimo'tkazgichli materiallar hal qiluvchi rol o'ynaydi. Ular orasida,kremniy karbid (SiC)keng tarmoqli bo'shliqli yarimo'tkazgich materiali sifatida, yuqori parchalanish elektr maydoni, yuqori to'yinganlik tezligi, yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi va boshqalar kabi mukammal ishlash afzalliklari bilan asta-sekin tadqiqotchilar va muhandislarning diqqat markaziga aylanib bormoqda. Thekremniy karbid epitaksial disk, uning muhim qismi sifatida katta amaliy salohiyatni namoyon etdi.
y、epitaxial diskning ishlashi: to'liq afzalliklar
1. Ultra yuqori parchalanadigan elektr maydoni: an'anaviy kremniy materiallari bilan solishtirganda, parchalanish elektr maydonikremniy karbid10 martadan ortiq. Bu shuni anglatadiki, bir xil kuchlanish sharoitida elektron qurilmalardan foydalaniladikremniy karbidli epitaksial disklaryuqori oqimlarga bardosh bera oladi, shu bilan yuqori voltli, yuqori chastotali, yuqori quvvatli elektron qurilmalarni yaratadi.
2. Yuqori tezlikdagi to'yinganlik tezligi: to'yinganlik tezligikremniy karbidkremniyga nisbatan 2 baravar ko'pdir. Yuqori harorat va yuqori tezlikda ishlash, thekremniy karbid epitaksial diskyaxshi ishlaydi, bu elektron qurilmalarning barqarorligi va ishonchliligini sezilarli darajada yaxshilaydi.
3. Yuqori samarali issiqlik o'tkazuvchanligi: silikon karbidning issiqlik o'tkazuvchanligi kremniydan 3 barobar ko'proq. Bu xususiyat elektron qurilmalarga uzluksiz yuqori quvvatli ish paytida issiqlikni yaxshiroq tarqatish imkonini beradi va shu bilan qizib ketishning oldini oladi va qurilma xavfsizligini oshiradi.
4. Zo'r kimyoviy barqarorlik: yuqori harorat, yuqori bosim va kuchli radiatsiya kabi ekstremal muhitda silikon karbidning ishlashi hali ham avvalgidek barqaror. Bu xususiyat kremniy karbid epitaksial diskiga murakkab muhit sharoitida mukammal ishlashni ta'minlash imkonini beradi.
、 ishlab chiqarish jarayoni: ehtiyotkorlik bilan o'yilgan
SIC epitaksial diskini ishlab chiqarishning asosiy jarayonlari jismoniy bug 'birikishi (PVD), kimyoviy bug'larning cho'kishi (CVD) va epitaksial o'sishni o'z ichiga oladi. Ushbu jarayonlarning har biri o'ziga xos xususiyatlarga ega va eng yaxshi natijalarga erishish uchun turli parametrlarni aniq nazorat qilishni talab qiladi.
1. PVD jarayoni: bug'lanish yoki purkash va boshqa usullar bilan SiC maqsadi plyonka hosil qilish uchun substratga yotqiziladi. Ushbu usul bilan tayyorlangan plyonka yuqori tozalik va yaxshi kristallikka ega, ammo ishlab chiqarish tezligi nisbatan sekin.
2. CVD jarayoni: Silikon karbid manba gazini yuqori haroratda yorib, u nozik bir plyonka hosil qilish uchun substratga yotqiziladi. Ushbu usul bilan tayyorlangan plyonkaning qalinligi va bir xilligi nazorat qilinadi, ammo tozaligi va kristalligi yomon.
3. Epitaksial o'sish: kimyoviy bug 'cho'ktirish usuli bilan monokristalli kremniy yoki boshqa monokristalli materiallarda SiC epitaksial qatlamining o'sishi. Ushbu usul bilan tayyorlangan epitaksial qatlam substrat materiali bilan yaxshi mos keladi va mukammal ishlashga ega, ammo narxi nisbatan yuqori.
y、Ilova istiqboli: kelajakni yoritib bering
Quvvat elektronikasi texnologiyasining uzluksiz rivojlanishi va yuqori mahsuldorlik va yuqori ishonchlilikdagi elektron qurilmalarga talab ortib borishi bilan silikon karbid epitaksial disk yarimo'tkazgichli qurilmalar ishlab chiqarishda keng qo'llanilishi istiqboliga ega. Quvvat elektron kalitlari, invertorlar, rektifikatorlar va boshqalar kabi yuqori chastotali yuqori quvvatli yarimo'tkazgichli qurilmalarni ishlab chiqarishda keng qo'llaniladi. Bundan tashqari, u quyosh batareyalari, LED va boshqa sohalarda ham keng qo'llaniladi.
Noyob ishlash afzalliklari va ishlab chiqarish jarayonining doimiy takomillashtirilishi bilan kremniy karbid epitaksial disk asta-sekin yarimo'tkazgich sohasida o'zining katta salohiyatini ko'rsatmoqda. Kelajakda ilm-fan va texnologiyaning yanada muhim rol o'ynashiga ishonish uchun asoslarimiz bor.
Yuborilgan vaqt: 28-noyabr-2023