-
Yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish jarayoni - Etch texnologiyasi
Gofretni yarim o'tkazgichga aylantirish uchun yuzlab jarayonlar talab qilinadi. Eng muhim jarayonlardan biri bu etching - ya'ni gofretga nozik sxema naqshlarini o'yib chiqarishdir. Oshlama jarayonining muvaffaqiyati turli xil o'zgaruvchilarni ma'lum bir tarqatish diapazoni ichida boshqarishga bog'liq va har bir kazıma...Ko'proq o'qish -
Plazma bilan ishlov berish uskunasidagi fokusli halqalar uchun ideal material: kremniy karbid (SiC)
Plazma bilan ishlov berish uskunasida keramika komponentlari, shu jumladan fokusli halqalar hal qiluvchi rol o'ynaydi. Gofret atrofida joylashgan va u bilan to'g'ridan-to'g'ri aloqada bo'lgan fokusli halqa halqaga kuchlanish qo'llash orqali plazmani gofretga qaratish uchun juda muhimdir. Bu unumdorlikni oshiradi ...Ko'proq o'qish -
Silikon karbid monokristalni qayta ishlashning gofret yuzasi sifatiga ta'siri
Yarimo'tkazgichli quvvat qurilmalari energiya elektron tizimlarida asosiy o'rinni egallaydi, ayniqsa sun'iy intellekt, 5G aloqa va yangi energiya vositalari kabi texnologiyalarning jadal rivojlanishi sharoitida ular uchun ishlash talablari ...Ko'proq o'qish -
SiC o'sishi uchun asosiy material: Tantal karbid qoplamasi
Hozirgi vaqtda yarimo'tkazgichlarning uchinchi avlodida kremniy karbid ustunlik qiladi. Uning qurilmalari xarajatlari tarkibida substrat 47% ni, epitaksiya esa 23% ni tashkil qiladi. Ikkalasi birgalikda taxminan 70% ni tashkil qiladi, bu kremniy karbid qurilmasi ishlab chiqarishning eng muhim qismidir ...Ko'proq o'qish -
Tantal karbid bilan qoplangan mahsulotlar materiallarning korroziyaga chidamliligini qanday oshiradi?
Tantal karbid qoplamasi materiallarning korroziyaga chidamliligini sezilarli darajada yaxshilaydigan keng tarqalgan ishlatiladigan sirtni tozalash texnologiyasidir. Tantal karbid qoplamasi substrat yuzasiga turli xil tayyorlash usullari bilan biriktirilishi mumkin, masalan, kimyoviy bug 'cho'kishi, fizika ...Ko'proq o'qish -
Kecha Fan va Texnologiya Innovatsiyalar Kengashi Huazhuo Precision Technology IPO ni to'xtatganligi haqida e'lon qildi!
Hozirgina Xitoyda birinchi 8 dyuymli SIC lazerli tavlanish uskunasini yetkazib berishni e'lon qildi, bu ham Tsinghua texnologiyasidir; Nega ular materiallarni o'zlari olib ketishdi? Bir necha so'z: Birinchidan, mahsulotlar juda xilma-xil! Bir qarashda ular nima qilishlarini bilmayman. Hozirda H...Ko'proq o'qish -
CVD kremniy karbid qoplamasi-2
CVD kremniy karbid qoplamasi 1. Nima uchun kremniy karbid qoplamasi mavjud Epitaksial qatlam epitaksial jarayon orqali gofret asosida o'stirilgan o'ziga xos bir kristalli yupqa plyonkadir. Substrat gofreti va epitaksial yupqa plyonka birgalikda epitaksial gofret deb ataladi. Ular orasida...Ko'proq o'qish -
SIC qoplamasini tayyorlash jarayoni
Hozirgi vaqtda SiC qoplamasini tayyorlash usullari asosan gel-sol usuli, joylashtirish usuli, cho'tka bilan qoplash usuli, plazma purkash usuli, kimyoviy bug 'reaksiyasi usuli (CVR) va kimyoviy bug'larni joylashtirish usuli (CVD) o'z ichiga oladi. O'rnatish usuliBu usul yuqori haroratli qattiq fazaning bir turi ...Ko'proq o'qish -
CVD kremniy karbid qoplamasi-1
CVD nima SiC Kimyoviy bug 'cho'ktirish (CVD) yuqori tozalikdagi qattiq materiallarni ishlab chiqarish uchun ishlatiladigan vakuumli cho'kma jarayonidir. Ushbu jarayon ko'pincha yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish sohasida gofretlar yuzasida nozik plyonkalar hosil qilish uchun ishlatiladi. SiC ni CVD bilan tayyorlash jarayonida substrat ekspluatatsiya qilinadi ...Ko'proq o'qish -
SiC kristalidagi dislokatsiya strukturasini rentgen topologik tasvirlash yordamida nurlarni kuzatish simulyatsiyasi orqali tahlil qilish
Tadqiqot ma'lumotlari Kremniy karbidining (SiC) qo'llanilishining ahamiyati: Keng tarmoqli yarimo'tkazgich materiali sifatida kremniy karbid o'zining ajoyib elektr xususiyatlari (kattaroq tarmoqli oralig'i, yuqori elektron to'yinganlik tezligi va issiqlik o'tkazuvchanligi kabi) tufayli katta e'tiborni tortdi. Bu tayanchlar...Ko'proq o'qish -
SiC monokristal o'sishida urug'lik kristallarini tayyorlash jarayoni 3
O'sishni tekshirish Kremniy karbid (SiC) urug'i kristallari belgilangan jarayondan so'ng tayyorlangan va SiC kristalining o'sishi orqali tasdiqlangan. Foydalanilgan o'sish platformasi 2200 ℃ o'sish harorati, 200 Pa o'sish bosimi va o'sish tezligi bilan o'z-o'zidan ishlab chiqilgan SiC induksion o'sish pechi edi.Ko'proq o'qish -
SiC yagona kristalli o'sishida urug'lik kristallarini tayyorlash jarayoni (2-qism)
2. Eksperimental jarayon 2.1 Yopishqoq plyonkaning qattiqlashishi Ma'lum bo'lishicha, to'g'ridan-to'g'ri uglerod plyonkasi yoki grafit qog'oz bilan yopishtiruvchi bilan qoplangan SiC gofretlarida yopishtirish bir nechta muammolarni keltirib chiqardi: 1. Vakuum sharoitida SiC gofretlaridagi yopishtiruvchi plyonka shkalaga o'xshash ko'rinishga ega bo'ldi. imzo qo'yish ...Ko'proq o'qish