Bizning kompaniyamiz taqdim etadiSiC qoplamasigrafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bo'yicha ishlov berish xizmatlari, uglerod va kremniyni o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza Sic molekulalarini olishi mumkin, ular qoplangan materiallar yuzasiga yotqizilishi mumkin.SiC himoya qatlamiepitaxy barrel turi hypnotic uchun.
Asosiy xususiyatlar:
1 .Yuqori toza SiC qoplangan grafit
2. Yuqori issiqlikka chidamlilik va termal bir xillik
3. YaxshiSiC kristalli bilan qoplangansilliq sirt uchun
4. Kimyoviy tozalashga nisbatan yuqori chidamlilik
ning asosiy texnik xususiyatlariCVD-SIC qoplamasi
| SiC-CVD xususiyatlari | ||
| Kristal tuzilishi | FCC b fazasi | |
| Zichlik | g/sm³ | 3.21 |
| Qattiqlik | Vickers qattiqligi | 2500 |
| Don hajmi | mkm | 2~10 |
| Kimyoviy tozalik | % | 99.99995 |
| Issiqlik quvvati | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatsiya harorati | ℃ | 2700 |
| Feleksual kuch | MPa (RT 4 ball) | 415 |
| Yosh moduli | Gpa (4pt egilish, 1300℃) | 430 |
| Termal kengayish (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Issiqlik o'tkazuvchanligi | (Vt/mK) | 300 |
