Yarimo'tkazgichli SiC qoplangan monokristalli kremniy epitaksial disk

Semiconductor SiC bilan qoplangan monokristalli kremniy epitaksial disk, epitaksial o'sish jarayonlari uchun mo'ljallangan eng zamonaviy yechim. Semicera mukammal issiqlik o'tkazuvchanligi va chidamliligini ta'minlaydigan yuqori samarali disklarni ishlab chiqarishga ixtisoslashgan.EpitaksiyavaSiC epitaksisi. Kremniy karbid (SiC) bilan qoplangan bu epitaksial disk yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish jarayonlarining samaradorligi va aniqligini oshiradi.

BizningMOCVD ushlagichiMos epitaksial disk turli xil sozlamalarda, jumladan PSS Etching Carrier-ni talab qiladigan tizimlarda barqaror ishlashni ta'minlaydi;ICP etchingOperator va RTP tashuvchisi. Ushbu disk monokristalli kremniy ishlab chiqarishning yuqori talablarini qondirish uchun ishlab chiqilgan bo'lib, uni LED epitaksial susceptor ilovalari va boshqa yarimo'tkazgich o'sishi jarayonlari uchun mos qiladi. Barrel Susceptor va Pancake Susceptor dizaynlari ishlab chiqaruvchilar uchun ko'p qirralilikni taklif qiladi, fotovoltaik qismlardan foydalanish esa quyosh sanoatida qo'llanilishini kengaytiradi.

O'zining mustahkam konstruktsiyasi bilan GaN on SiC Epitaxy imkoniyatlari ushbu diskning ilg'or epitaksial tizimlar uchun qiymatini yanada oshiradi. Ushbu yechim ishonchli, yuqori sifatli natijalarni ta'minlash uchun mo'ljallangan bo'lib, uni zamonaviy yarimo'tkazgich va fotovoltaik ishlab chiqarish uchun muhim komponentga aylantiradi.