Tantal karbid bilan qoplangan qopqoqlar

Qisqacha tavsif:

8 dyuymli silikon karbid (SiC) gofretlarining paydo bo'lishi bilan turli yarimo'tkazgich jarayonlari uchun talablar, ayniqsa, harorat 2000 darajadan oshib ketishi mumkin bo'lgan epitaksiya jarayonlari uchun tobora qattiqlashdi. Kremniy karbid bilan qoplangan grafit kabi an'anaviy sezgir materiallar bu yuqori haroratlarda sublimatsiyaga moyil bo'lib, epitaksiya jarayonini buzadi. Biroq, CVD tantal karbid (TaC) bu muammoni samarali hal qiladi, 2300 daraja Selsiygacha bo'lgan haroratga bardosh beradi va uzoqroq xizmat muddatini taklif qiladi. Semicera bilan bog'lanings Tantal karbid bilan qoplangan qopqoqlarilg'or yechimlarimiz haqida ko'proq ma'lumot olish uchun.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Semicera turli komponentlar va tashuvchilar uchun maxsus tantal karbid (TaC) qoplamalarini taqdim etadi.Semicera etakchi qoplama jarayoni tantal karbid (TaC) qoplamalariga yuqori tozalik, yuqori harorat barqarorligi va yuqori kimyoviy bardoshlik, SIC / GAN kristallari va EPI qatlamlarining mahsulot sifatini yaxshilash imkonini beradi (Grafit bilan qoplangan TaC sensori) va asosiy reaktor komponentlarining ishlash muddatini uzaytirish. Tantal karbidli TaC qoplamasidan foydalanish chekka muammosini hal qilish va kristall o'sishi sifatini yaxshilashdir va Semicera xalqaro ilg'or darajaga yetib, tantal karbid qoplama texnologiyasini (CVD) hal qildi.

8 dyuymli silikon karbid (SiC) gofretlarining paydo bo'lishi bilan turli yarimo'tkazgich jarayonlari uchun talablar, ayniqsa, harorat 2000 darajadan oshib ketishi mumkin bo'lgan epitaksiya jarayonlari uchun tobora qattiqlashdi. Kremniy karbid bilan qoplangan grafit kabi an'anaviy sezgir materiallar bu yuqori haroratlarda sublimatsiyaga moyil bo'lib, epitaksiya jarayonini buzadi. Biroq, CVD tantal karbid (TaC) bu muammoni samarali hal qiladi, 2300 daraja Selsiygacha bo'lgan haroratga bardosh beradi va uzoqroq xizmat muddatini taklif qiladi. Ilg'or yechimlarimiz haqida ko'proq ma'lumot olish uchun Semicera'ning Tantal karbid qoplamali qopqoqlari bilan bog'laning.

Ko'p yillik rivojlanishdan so'ng Semicera texnologiyasini zabt etdiCVD TaCAR-GE bo'limining birgalikdagi sa'y-harakatlari bilan. SiC gofretlarining o'sish jarayonida nuqsonlar paydo bo'lishi oson, lekin foydalanishdan keyinTaC, farq sezilarli. Quyida bitta kristall o'sishi uchun TaC bo'lgan va bo'lmagan gofretlarni, shuningdek Simicera qismlarini taqqoslash mumkin.

Yuqori samarali tantal karbid qoplamasi_ sanoat ishlab chiqarish samaradorligini oshiradi va texnik xizmat ko'rsatish xarajatlarini kamaytiradi

Yagona kristall o'sishi uchun tac qismi

Kiyinishga qarshi tantal karbid qoplamasi_ Uskunani aşınma va korroziyadan himoya qiladi

TaC bilan qoplangan halqali grafit

TaC bilan va holda

TaC dan foydalangandan so'ng (o'ngda)

Bundan tashqari, SemiceraTaC bilan qoplangan mahsulotlarnisbatan uzoqroq xizmat muddati va yuqori haroratga chidamliligini namoyish etadiSiC qoplamalari.Laboratoriya o'lchovlari shuni ko'rsatdiki, bizningTaC qoplamalariuzoq vaqt davomida 2300 daraja Selsiygacha bo'lgan haroratda doimiy ravishda ishlashi mumkin. Quyida bizning namunalarimizdan ba'zi misollar keltirilgan: