Tavsif
Kompaniyamiz grafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bo'yicha SiC qoplama jarayoni xizmatlarini taqdim etadi, shuning uchun uglerod va kremniy o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza SiC molekulalarini, qoplangan materiallar yuzasiga yotqizilgan molekulalarni, SIC himoya qatlamini hosil qiladi.
Asosiy xususiyatlar
1 .Yuqori toza SiC qoplangan grafit
2. Yuqori issiqlikka chidamlilik va termal bir xillik
3. Silliq sirt uchun nozik SiC kristalli bilan qoplangan
4. Kimyoviy tozalashga nisbatan yuqori chidamlilik
CVD-SIC qoplamasining asosiy xususiyatlari
| SiC-CVD xususiyatlari | ||
| Kristal tuzilishi | FCC b fazasi | |
| Zichlik | g/sm³ | 3.21 |
| Qattiqlik | Vickers qattiqligi | 2500 |
| Don hajmi | mkm | 2~10 |
| Kimyoviy tozalik | % | 99.99995 |
| Issiqlik quvvati | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatsiya harorati | ℃ | 2700 |
| Feleksual kuch | MPa (RT 4 ball) | 415 |
| Yosh moduli | Gpa (4pt egilish, 1300℃) | 430 |
| Termal kengayish (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Issiqlik o'tkazuvchanligi | (Vt/mK) | 300 |
-
Silikon karbid bilan qoplangan epitaksial reaktor barrel
-
Silikon karbid SiC qoplangan epitaksial reaktor Ba...
-
Yuqori toza tantal karbid mahsulotini sozlash
-
SiC Epitaxy Gofret tashuvchisi
-
Yarimo'tkazgichli kremniy karbid gofretli qayiq bo'lishi mumkin ...
-
Silikon karbid bilan qoplangan barrel ushlagichi