Semicera turli komponentlar va tashuvchilar uchun maxsus tantal karbid (TaC) qoplamalarini taqdim etadi.Semicera etakchi qoplama jarayoni tantal karbid (TaC) qoplamalariga yuqori tozalik, yuqori harorat barqarorligi va yuqori kimyoviy bardoshlik, SIC / GAN kristallari va EPI qatlamlarining mahsulot sifatini yaxshilash imkonini beradi (Grafit bilan qoplangan TaC sensori) va asosiy reaktor komponentlarining ishlash muddatini uzaytirish. Tantal karbidli TaC qoplamasidan foydalanish chekka muammosini hal qilish va kristall o'sishi sifatini yaxshilashdir va Semicera xalqaro ilg'or darajaga yetib, tantal karbid qoplama texnologiyasini (CVD) hal qildi.
Grafit yuqori haroratli ajoyib materialdir, lekin u yuqori haroratlarda oson oksidlanadi. Hatto inert gazli vakuumli pechlarda ham u sekin oksidlanishdan o'tishi mumkin. CVD tantal karbid (TaC) qoplamasidan foydalanish grafit substratini samarali himoya qilishi mumkin, bu grafit bilan bir xil yuqori harorat qarshiligini ta'minlaydi. TaC ham inert materialdir, ya'ni u yuqori haroratlarda argon yoki vodorod kabi gazlar bilan reaksiyaga kirishmaydi.So'rovTantal karbidli CVD qoplamasi EPI ushlagichi hozir!
Ko'p yillik rivojlanishdan so'ng Semicera texnologiyasini zabt etdiCVD TaCAR-GE bo'limining birgalikdagi sa'y-harakatlari bilan. SiC gofretlarining o'sish jarayonida nuqsonlar paydo bo'lishi oson, lekin foydalanishdan keyinTaC, farq sezilarli. Quyida bitta kristall o'sishi uchun TaC bo'lgan va bo'lmagan gofretlarni, shuningdek Simicera qismlarini taqqoslash mumkin.
TaC bilan va holda
TaC dan foydalangandan so'ng (o'ngda)
Bundan tashqari, SemiceraTaC bilan qoplangan mahsulotlarnisbatan uzoqroq xizmat muddati va yuqori haroratga chidamliligini namoyish etadiSiC qoplamalari.Laboratoriya o'lchovlari shuni ko'rsatdiki, bizningTaC qoplamalariuzoq vaqt davomida 2300 daraja Selsiygacha bo'lgan haroratda doimiy ravishda ishlashi mumkin. Quyida bizning namunalarimizdan ba'zi misollar keltirilgan:
