Gofret ushlagichi

Qisqacha tavsif:

Semicera Si Epitaxy va SiC Epitaxy jarayonlari uchun optimallashtirilgan yuqori samarali gofret ushlagichlarini taqdim etadi. Semicera mahsulotlari monokristalli kremniy ishlab chiqarishda barqarorlik va yuqori aniqlikni ta'minlash uchun MOCVD Susseptorlari va Barrel Susseptorlarida keng qo'llaniladi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Nima uchun silikon karbid qoplamasi?

Gofret ushlagichiepitaksiya jarayonida ajralmas asosiy komponent hisoblanadi. Semicera uchun ajoyib echimlar taqdim etadiEpitaksiyavaSiC epitaksisinozik dizayn va ishlab chiqarish orqali jarayonlar. Bizning gofret ushlagichimiz epitaksiya jarayonida bir xil issiqlik taqsimotini ta'minlaydi va monokristalli kremniy (Monokristalli kremniy) qatlamining cho'kish sifatini yaxshilaydi. U har xil turlarda yaxshi ishlaydiMOCVD retseptorlarivaBarrel ushlagichlariva turli yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish jarayonlari uchun javob beradi.

SemiceraGofretSusseptor yuqori haroratga chidamliligi va korroziyaga chidamliligi yuqori bo'lgan yuqori quvvatli materiallardan tayyorlangan va hatto murakkab epitaksiya jarayoni sharoitida ham uzoq vaqt barqaror turishi mumkin. Si Epitaxy yoki SiC Epitaxy jarayonlarida bo'ladimi, Semicera's Susceptor epitaksiya o'sishi paytida gofretlarning sifat mustahkamligini ta'minlash uchun haroratni aniq nazorat qilishni ta'minlaydi.

Bundan tashqari, Semicera's Gofret Susceptor, shuningdek, turli xil jihozlar va spetsifikatsiya talablariga moslashish uchun aniq qayta ishlanadi, ayniqsa MOCVD Susceptor va Barrel Susceptor ilovalarida. Zo'r material tanlash va jarayonni nazorat qilish bilan bizning mahsulotlarimiz nafaqat ishlab chiqarish samaradorligini oshiradi, balki jarayonda nuqson tezligi va energiya sarfini sezilarli darajada kamaytiradi.

Yarimo'tkazgich sanoatida juda talabchan epitaksiya jarayonlari uchun Semikera's Gofret Susceptor sizning ideal tanlovingizdir. Ar-ge yoki ommaviy ishlab chiqarish uchun bo'lsin, bizning Gofret Susceptorimiz mijozlarga Si Epitaxy va SiC Epitaxy jarayonlarida yuqori ishonchlilik va yaxshi kristall tuzilishga erishishga yordam beradi.