19 dona 2 dyuymli grafit asosli MOCVD uskunalari qismlari

Qisqacha tavsif:

Mahsulotni joriy etish va ishlatish: Chuqur ultrabinafsha LED epitaksial plyonka o'sishi uchun 19 dona 2 marta substratni joylashtiring.

Mahsulotning qurilma joylashuvi: reaktsiya kamerasida, gofret bilan bevosita aloqada

Asosiy quyi oqim mahsulotlari: LED chiplari

Asosiy so'nggi bozor: LED

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Tavsif

Bizning kompaniyamiz taqdim etadiSiC qoplamasigrafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bilan ishlov berish xizmatlari, shuning uchun uglerod va kremniyni o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza SiC molekulalarini, qoplangan materiallar yuzasida yotqizilgan molekulalarni hosil qiladi.SiC himoya qatlami.

Asosiy xususiyatlar

1. Yuqori haroratli oksidlanish qarshiligi:
harorat 1600 S gacha bo'lganida oksidlanish qarshiligi hali ham juda yaxshi.
2. Yuqori tozalik: yuqori haroratli xlorlash sharoitida kimyoviy bug'larni cho'ktirish orqali amalga oshiriladi.
3. Eroziyaga chidamlilik: yuqori qattiqlik, ixcham sirt, nozik zarralar.
4. Korroziyaga chidamliligi: kislota, gidroksidi, tuz va organik reagentlar.

CVD-SIC qoplamasining asosiy xususiyatlari

SiC-CVD xususiyatlari
Kristal tuzilishi	FCC b fazasi
Zichlik	g/sm³	3.21
Qattiqlik	Vickers qattiqligi	2500
Don hajmi	mkm	2~10
Kimyoviy tozalik	%	99.99995
Issiqlik quvvati	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatsiya harorati	℃	2700
Feleksual kuch	MPa (RT 4 ball)	415
Yosh moduli	Gpa (4pt egilish, 1300℃)	430
Termal kengayish (CTE)	10-6K-1	4.5
Issiqlik o'tkazuvchanligi	(Vt/mK)	300