Tavsif
Kompaniyamiz grafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bo'yicha SiC qoplama jarayoni xizmatlarini taqdim etadi, shuning uchun uglerod va kremniyni o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza SiC molekulalarini, qoplangan materiallar yuzasiga yotqizilgan molekulalarni, SIC himoya qatlamini hosil qiladi.
Asosiy xususiyatlar
1. Yuqori haroratli oksidlanish qarshiligi: harorat 1600 S gacha bo'lganida oksidlanish qarshiligi hali ham juda yaxshi.
2. Yuqori tozalik: yuqori haroratli xlorlash sharoitida kimyoviy bug'larni cho'ktirish orqali amalga oshiriladi.
3. Eroziyaga chidamlilik: yuqori qattiqlik, ixcham sirt, nozik zarralar.
4. Korroziyaga chidamliligi: kislota, gidroksidi, tuz va organik reagentlar.
CVD-SIC qoplamasining asosiy xususiyatlari
| SiC-CVD xususiyatlari | ||
| Kristal tuzilishi | FCC b fazasi | |
| Zichlik | g/sm³ | 3.21 |
| Qattiqlik | Vickers qattiqligi | 2500 |
| Don hajmi | mkm | 2~10 |
| Kimyoviy tozalik | % | 99.99995 |
| Issiqlik quvvati | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatsiya harorati | ℃ | 2700 |
| Feleksual kuch | MPa (RT 4 ball) | 415 |
| Yosh moduli | Gpa (4pt egilish, 1300℃) | 430 |
| Termal kengayish (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Issiqlik o'tkazuvchanligi | (Vt/mK) | 300 |
-
Grafit isitgich issiq zonasi / grafit issiq maydoni, taxminan ...
-
SiC pinli tovoqlar ICP-da ishlov berish jarayonlari uchun ...
-
SiC epitaksial uskunalari uchun yarim qismlar
-
Karbid bilan qoplangan reaktor barrelli reaktor
-
Epitaksial o'sish uchun SiC qoplangan grafit barrel
-
SiC bilan qoplangan yarimo'tkazgichli epitaksial reaktor ...