CVD Silicon Carbide (SiC) etching Ring - kimyoviy bug'larni cho'ktirish (CVD) usuli yordamida kremniy karbididan (SiC) tayyorlangan maxsus komponent. CVD Silicon Carbide (SiC) Etching Ring turli xil sanoat ilovalarida, ayniqsa materiallarni kesish bilan bog'liq jarayonlarda asosiy rol o'ynaydi. Silikon karbid o'zining ajoyib xususiyatlari, jumladan, yuqori qattiqlik, mukammal issiqlik o'tkazuvchanligi va qattiq kimyoviy muhitga chidamliligi bilan mashhur bo'lgan noyob va ilg'or sopol materialdir.
Kimyoviy bug'larni cho'ktirish jarayoni boshqariladigan muhitda substratga yupqa SiC qatlamini yotqizishni o'z ichiga oladi, natijada yuqori toza va aniq ishlab chiqilgan material olinadi. CVD Silicon Carbide o'zining bir xil va zich mikro tuzilishi, mukammal mexanik kuchi va yaxshilangan termal barqarorligi bilan mashhur.
CVD Silicon Carbide (SiC) etching Ring CVD Silicon Carbide dan tayyorlangan bo'lib, u nafaqat mukammal chidamlilikni ta'minlaydi, balki kimyoviy korroziyaga va haddan tashqari harorat o'zgarishlariga ham qarshilik ko'rsatadi. Bu aniqlik, ishonchlilik va xizmat muddati muhim bo'lgan ilovalar uchun ideal qiladi.
✓Xitoy bozorida eng yuqori sifat
✓Siz uchun har doim yaxshi xizmat, 7*24 soat
✓Qisqa yetkazib berish sanasi
✓Kichik MOQ xush kelibsiz va qabul qilinadi
✓Xususiy xizmatlar
Epitaksiyaning o'sishiga qarshi sezgir
Silikon / kremniy karbid gofretlari elektron qurilmalarda foydalanish uchun bir nechta jarayonlardan o'tishi kerak. Muhim jarayon kremniy/sik epitaksi bo'lib, unda kremniy/sic gofretlari grafit asosda tashiladi. Semicera kremniy karbid bilan qoplangan grafit asosining maxsus afzalliklari orasida juda yuqori tozalik, bir xil qoplama va juda uzoq xizmat muddati mavjud. Ular, shuningdek, yuqori kimyoviy qarshilik va termal barqarorlikka ega.
LED chip ishlab chiqarish
MOCVD reaktorining keng qoplamasi vaqtida sayyora asosi yoki tashuvchisi substrat gofretini harakatga keltiradi. Asosiy materialning ishlashi qoplama sifatiga katta ta'sir ko'rsatadi, bu esa o'z navbatida chipning hurda tezligiga ta'sir qiladi. Semicera kremniy karbid bilan qoplangan bazasi yuqori sifatli LED gofretlarini ishlab chiqarish samaradorligini oshiradi va to'lqin uzunligi og'ishini minimallashtiradi. Hozirda ishlatilayotgan barcha MOCVD reaktorlari uchun qo'shimcha grafit komponentlarini ham yetkazib beramiz. Biz deyarli har qanday komponentni silikon karbid qoplamasi bilan qoplashimiz mumkin, hatto komponent diametri 1,5M gacha bo'lsa ham, biz kremniy karbid bilan qoplashimiz mumkin.
Yarimo'tkazgich maydoni, Oksidlanish diffuziya jarayoni, va hokazo.
Yarimo'tkazgich jarayonida oksidlanishni kengaytirish jarayoni yuqori mahsulot tozaligini talab qiladi va Semicera-da biz kremniy karbid qismlarining aksariyati uchun maxsus va CVD qoplama xizmatlarini taklif qilamiz.
Quyidagi rasmda Semiceaning qo'pol qayta ishlangan kremniy karbid atalasi va 100 ga tozalangan kremniy karbidli pech trubkasi ko'rsatilgan.0-darajachangsizxona. Bizning ishchilarimiz qoplamadan oldin ishlamoqda. Bizning kremniy karbidimizning tozaligi 99,99% ga yetishi mumkin va sic qoplamasining tozaligi 99,99995% dan yuqori.
Tozalashda xom kremniy karbidli belkurak va SiC jarayon trubkasi
Silikon karbid gofretli qayiq CVD SiC qoplangan
