Galliy nitridili substratlar|GaN gofretlari

Qisqa Tasvir:

Galliy nitridi (GaN), kremniy karbid (SiC) materiallari kabi, keng tarmoqli bo'shlig'i kengligi, katta tarmoqli kengligi, yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, yuqori elektron to'yinganligi migratsiya tezligi va yuqori parchalanish elektr maydoniga ega bo'lgan uchinchi avlod yarimo'tkazgich materiallariga tegishli. xususiyatlari.GaN qurilmalari LED energiyani tejovchi yoritish, lazer proektsion displey, yangi energiya vositalari, aqlli tarmoq, 5G aloqasi kabi yuqori chastotali, yuqori tezlik va yuqori quvvat talabi sohalarida keng qo'llash istiqbollariga ega.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Uchinchi avlod yarimo'tkazgich materiallari asosan SiC, GaN, olmos va boshqalarni o'z ichiga oladi, chunki uning tarmoqli bo'shlig'i kengligi (Masalan) 2,3 elektron voltdan (eV) katta yoki unga teng bo'lib, keng tarmoqli yarimo'tkazgich materiallari sifatida ham tanilgan.Birinchi va ikkinchi avlod yarimo'tkazgich materiallari bilan solishtirganda, uchinchi avlod yarimo'tkazgich materiallari yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, yuqori parchalanish elektr maydoni, yuqori to'yingan elektron migratsiya tezligi va yuqori bog'lanish energiyasining afzalliklariga ega, bu esa zamonaviy elektron texnologiyaning yangi talablariga javob berishi mumkin. harorat, yuqori quvvat, yuqori bosim, yuqori chastotali va radiatsiya qarshiligi va boshqa og'ir sharoitlar.U milliy mudofaa, aviatsiya, aerokosmik, neftni qidirish, optik saqlash va hokazo sohalarda muhim dastur istiqbollariga ega va keng polosali aloqa, quyosh energiyasi, avtomobil ishlab chiqarish kabi ko'plab strategik sohalarda energiya yo'qotilishini 50% dan ko'proq kamaytirishi mumkin. yarimo'tkazgichli yorug'lik va aqlli tarmoq va uskunalar hajmini 75% dan ortiq qisqartirishi mumkin, bu insoniyat ilm-fan va texnologiyasini rivojlantirish uchun muhim ahamiyatga ega.

Buyum lín	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Diametri língjínzí	50,8 ± 1 mm
Qalinligiqí	350 ± 25 mkm
Orientatsiya mínji	C tekisligi (0001) M o'qiga 0,35 ± 0,15 ° burchak ostida
Prime Flat mīngīngī	(1-100) 0 ± 0,5 °, 16 ± 1 mm
Ikkilamchi kvartira míngìnì	(11-20) 0 ± 3 °, 8 ± 1 mm
O'tkazuvchanlik chàngí	N-turi	N-turi	Yarim izolyatsiya
Qarshilik (300K) língín	< 0,1 Ō·sm	< 0,05 Ō·sm	> 106 Ō·sm
TTV míní	≤ 15 mkm
BOW màngān	≤ 20 mkm
Ga yuz yuzasining pürüzlülüğü Galíngyjín	< 0,2 nm (sillangan);
	yoki < 0,3 nm (epitaksiya uchun sayqallangan va sirt bilan ishlov berish)
N Yuz yuzasining pürüzlülüğü Nlíngyjín	0,5 ~ 1,5 mkm
	variant: 1 ~ 3 nm (nozik tuproq);< 0,2 nm (jilolangan)
Dislokatsiya zichligi màngàngìnẦ	1 x 105 dan 3 x 106 sm-2 gacha (CL tomonidan hisoblangan)*
Ibratli nuqsonlar zichligi língjínjín	< 2 sm-2
Foydalanish mumkin bo'lgan maydon língíngín	> 90% (chekka va makro nuqsonlarni istisno qilish)
Mijozlarning talablariga muvofiq sozlanishi mumkin, kremniy, safir, SiC asosidagi GaN epitaksial varaqning turli tuzilishi.