QISM/1
SiC va AIN monokristalli pechda tigel, urug 'ushlagichi va hidoyat halqasi PVT usuli bilan o'stirildi.
Shakl 2 [1] da ko'rsatilganidek, SiC tayyorlash uchun fizik bug 'tashuv usuli (PVT) qo'llanilganda, urug' kristali nisbatan past haroratli mintaqada, SiC xom ashyosi nisbatan yuqori haroratli mintaqada (2400 dan yuqori) bo'ladi.℃) va xom ashyo SiXCy (asosan, Si, SiC, shu jumladan) hosil qilish uchun parchalanadi₂, Si₂C va boshqalar).Bug 'fazasi materiali yuqori haroratli hududdan past haroratli mintaqadagi urug'lik kristaliga ko'chiriladi, furug' yadrolarini hosil qiladi, o'sadi va monokristallarni hosil qiladi.Ushbu jarayonda ishlatiladigan termal maydon materiallari, masalan, tigel, oqim hidoyat halqasi, urug 'kristal ushlagichi yuqori haroratga chidamli bo'lishi kerak va SiC xom ashyosi va SiC monokristallarini ifloslantirmaydi.Xuddi shunday, AlN monokristallarining o'sishidagi isitish elementlari Al bug'iga, N ga chidamli bo'lishi kerak.₂korroziya va yuqori evtektik haroratga ega bo'lishi kerak (bilan AlN) kristall tayyorlash muddatini qisqartirish.
SiC[2-5] va AlN[2-3] tomonidan tayyorlanganligi aniqlandiTaC bilan qoplangangrafit termal maydon materiallari toza bo'ldi, uglerod (kislorod, azot) va boshqa aralashmalar deyarli yo'q edi, chekka nuqsonlar kamroq, har bir mintaqada kichikroq qarshilik va mikropore zichligi va chuqurlik chuqurligining zichligi sezilarli darajada kamaydi (KOH bilan ishlov berishdan keyin) va kristal sifati ancha yaxshilandi.Bunga qo'chimcha,TaC tigelvazn yo'qotish darajasi deyarli nolga teng, tashqi ko'rinishi buzilmaydi, qayta ishlanishi mumkin (hayot 200 soatgacha), bunday yagona kristalli preparatning barqarorligi va samaradorligini oshirishi mumkin.
ANJIR.2. (a) PVT usuli bilan SiC monokristalli quyma o'stirish qurilmasining sxematik diagrammasi
(b) yuqoriTaC bilan qoplanganurug'lik qavs (shu jumladan SiC urug'i)
(c)TAC bilan qoplangan grafit hidoyat halqasi
QISM/2
MOCVD GaN epitaksial qatlam o'sadigan isitgich
Shakl 3 (a) da ko'rsatilganidek, MOCVD GaN o'sishi bug' epitaksial o'sishi orqali yupqa plyonkalarni o'stirish uchun organometrik parchalanish reaktsiyasidan foydalangan holda kimyoviy bug'larni joylashtirish texnologiyasidir.Bo'shliqdagi haroratning aniqligi va bir xilligi isitgichni MOCVD uskunasining eng muhim asosiy komponentiga aylantiradi.Substratni tez va bir xilda uzoq vaqt davomida isitish mumkinmi (takroriy sovutish ostida), yuqori haroratdagi barqarorlik (gaz korroziyasiga qarshilik) va plyonkaning tozaligi to'g'ridan-to'g'ri plyonkaning cho'kindi sifatiga, qalinligi mustahkamligiga, va chipning ishlashi.
MOCVD GaN o'sish tizimida isitgichning ishlashi va qayta ishlash samaradorligini oshirish uchun,TAC bilan qoplangangrafitli isitgich muvaffaqiyatli joriy etildi.An'anaviy isitgich (pBN qoplamasi yordamida) tomonidan o'stirilgan GaN epitaksial qatlami bilan taqqoslaganda, TaC isitgichi tomonidan o'stirilgan GaN epitaksial qatlami deyarli bir xil kristall tuzilishga, qalinligi bir xilligiga, ichki nuqsonlarga, nopoklik dopingiga va ifloslanishga ega.Bundan tashqari,TaC qoplamasipast qarshilik va past sirt emissiyasiga ega, bu isitgichning samaradorligi va bir xilligini yaxshilashi mumkin, shu bilan quvvat sarfini va issiqlik yo'qotilishini kamaytiradi.Isitgichning radiatsiyaviy xususiyatlarini yanada yaxshilash va xizmat muddatini uzaytirish uchun jarayon parametrlarini nazorat qilish orqali qoplamaning g'ovakliligini sozlash mumkin [5].Bu afzalliklar beradiTaC bilan qoplangangrafit isitgichlar MOCVD GaN o'sish tizimlari uchun ajoyib tanlovdir.
ANJIR.3. (a) GaN epitaksial o'sishi uchun MOCVD qurilmasining sxematik diagrammasi
(b) MOCVD o'rnatishda o'rnatilgan mog'orlangan TAC bilan qoplangan grafitli isitgich, taglik va qavsdan tashqari (issiqlikdagi taglik va qavsni ko'rsatadigan rasm)
(c) 17 GaN epitaksial o'sishdan keyin TAC bilan qoplangan grafitli isitgich.[6]
QISM/3
Epitaksiya uchun qoplangan sezgir (gofret tashuvchisi)
Gofret tashuvchisi SiC, AlN, GaN va boshqa uchinchi sinf yarimo'tkazgichli gofretlarni va epitaksial gofret o'sishini tayyorlash uchun muhim tarkibiy komponent hisoblanadi.Gofret tashuvchilarning aksariyati grafitdan yasalgan va texnologik gazlar korroziyasiga qarshi turish uchun SiC qoplamasi bilan qoplangan, epitaksial harorat oralig'i 1100 dan 1600 gacha.°C va himoya qoplamasining korroziyaga chidamliligi gofret tashuvchisining hayotida hal qiluvchi rol o'ynaydi.Natijalar shuni ko'rsatadiki, TaC ning korroziya tezligi yuqori haroratli ammiakda SiC dan 6 marta sekinroq.Yuqori haroratli vodorodda korroziya tezligi SiC dan 10 baravar sekinroq.
TaC bilan qoplangan tovoqlar ko'k yorug'lik GaN MOCVD jarayonida yaxshi mos kelishi va aralashmalar kiritmasligi tajribalar bilan isbotlangan.Cheklangan jarayon sozlamalaridan so'ng, TaC tashuvchilari yordamida o'stirilgan LEDlar an'anaviy SiC tashuvchilari kabi bir xil ishlash va bir xillikni namoyish etadi.Shuning uchun, TAC bilan qoplangan sxemasidan foydalanish muddati yalang'och tosh siyohdan ko'ra yaxshiroqdir vaSiC bilan qoplangangrafit tagliklari.
Yuborilgan vaqt: 2024 yil 05-mart