Xususiyatlari:
Yarimo'tkazgich xususiyatlariga ega bo'lgan keramika qarshiligi taxminan 10-5 ~ 107ō.cm ni tashkil qiladi va keramik materiallarning yarimo'tkazgich xususiyatlarini doping yoki stexiometrik og'ish natijasida yuzaga keladigan panjara nuqsonlarini keltirib chiqarish orqali olish mumkin.Ushbu usuldan foydalanadigan keramika tarkibiga TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 va SiC.Yarimo'tkazgichli keramikaning turli xil xususiyatlari shundaki, ularning elektr o'tkazuvchanligi atrof-muhitga qarab o'zgaradi, bu turli xil turdagi keramika sezgir asboblarni tayyorlash uchun ishlatilishi mumkin.
Issiqlikka sezgir, gazga sezgir, namlikka sezgir, bosimga sezgir, yorug'likka sezgir va boshqa sensorlar.Fe3O4 kabi yarimo'tkazgichli shpinel materiallari boshqariladigan qattiq eritmalarda MgAl2O4 kabi o'tkazuvchan bo'lmagan shpinel materiallari bilan aralashtiriladi.
MgCr2O4 va Zr2TiO4 termistorlar sifatida ishlatilishi mumkin, ular haroratga qarab o'zgarib turadigan ehtiyotkorlik bilan boshqariladigan qarshilik moslamalari.ZnO ni Bi, Mn, Co va Cr kabi oksidlarni qo'shish orqali o'zgartirish mumkin.
Ushbu oksidlarning ko'pchiligi ZnO da qattiq erimaydi, lekin ZnO varistorli keramik materiallarni olish uchun to'siq qatlamini hosil qilish uchun don chegarasida burilish va varistorli keramikada eng yaxshi ko'rsatkichga ega bo'lgan materialdir.
SiC doping (inson uglerod qora, grafit kukuni kabi) har xil qarshilik isitish elementlari, ya'ni yuqori haroratli elektr pechlarida silikon uglerod rodlari sifatida ishlatiladigan yuqori harorat barqarorligi bilan yarimo'tkazgichli materiallarni tayyorlashi mumkin.Deyarli istalgan narsaga erishish uchun SiC ning qarshiligini va kesimini boshqaring
Ishlash sharoitlari (1500 ° C gacha), uning qarshiligini oshirish va isitish elementining kesimini kamaytirish hosil bo'lgan issiqlikni oshiradi.Havodagi silikon uglerod tayog'i oksidlanish reaktsiyasi sodir bo'ladi, haroratdan foydalanish odatda 1600 ° C pastda cheklangan, oddiy turdagi kremniy uglerod tayog'i
Xavfsiz ish harorati 1350 ° S.SiC da Si atomi N atomi bilan almashtiriladi, chunki N ko'proq elektronga ega, ortiqcha elektronlar mavjud va uning energiya darajasi pastki o'tkazuvchanlik zonasiga yaqin va uni o'tkazuvchanlik zonasiga ko'tarish oson, shuning uchun bu energiya holati donor darajasi ham deyiladi, bu yarmi
Supero'tkazuvchilar N tipidagi yarim o'tkazgichlar yoki elektron o'tkazgichlardir.Agar SiCda Si atomini almashtirish uchun Al atomi ishlatilsa, elektron yo'qligi sababli hosil bo'lgan moddiy energiya holati yuqoridagi valentlik elektron zonasiga yaqin bo'ladi, elektronlarni qabul qilish oson, shuning uchun uni qabul qiluvchi deyiladi.
Elektronlarni o'tkazishi mumkin bo'lgan valentlik zonasida bo'sh pozitsiyani qoldiradigan asosiy energiya darajasi, chunki bo'sh joy musbat zaryad tashuvchisi bilan bir xil ishlaydi, P tipidagi yarim o'tkazgich yoki teshik yarim o'tkazgich deb ataladi (H. Sarman, 1989).
Yuborilgan vaqt: 2023-02-sentabr