ning asosiy tarkibiy qismlaridan biri sifatidaMOCVD uskunalari, grafit asosi substratning tashuvchisi va isituvchi tanasi bo'lib, u plyonka materialining bir xilligi va tozaligini bevosita belgilaydi, shuning uchun uning sifati epitaksial varaqni tayyorlashga bevosita ta'sir qiladi va shu bilan birga, sonining ko'payishi bilan. foydalanish va ish sharoitlarini o'zgartirish, uni kiyish juda oson, sarf materiallariga tegishli.
Grafit mukammal issiqlik o'tkazuvchanligi va barqarorligiga ega bo'lsa-da, asosiy komponent sifatida yaxshi afzalliklarga egaMOCVD uskunalari, lekin ishlab chiqarish jarayonida grafit korroziy gazlar va metall organik moddalar qoldig'i tufayli kukunni korroziyaga olib keladi va grafit bazasining ishlash muddati sezilarli darajada kamayadi.Shu bilan birga, tushgan grafit kukuni chipning ifloslanishiga olib keladi.
Qoplama texnologiyasining paydo bo'lishi sirt kukuni fiksatsiyasini ta'minlashi, issiqlik o'tkazuvchanligini oshirishi va issiqlik taqsimotini tenglashtirishi mumkin, bu muammoni hal qilishning asosiy texnologiyasiga aylandi.Grafit asosiMOCVD uskunalarifoydalanish muhiti, grafit asosli sirt qoplamasi quyidagi xususiyatlarga javob berishi kerak:
(1) Grafit asosi to'liq o'ralgan bo'lishi mumkin va zichligi yaxshi, aks holda grafit bazasi korroziy gazda korroziyaga tushishi oson.
(2) Bir necha yuqori harorat va past haroratli davrlardan keyin qoplamaning tushishi oson emasligini ta'minlash uchun grafit bazasi bilan birikma kuchi yuqori.
(3) Yuqori harorat va korroziy atmosferada qoplamaning buzilishini oldini olish uchun yaxshi kimyoviy barqarorlikka ega.
SiC korroziyaga chidamlilik, yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, termal zarba qarshiligi va yuqori kimyoviy barqarorlik afzalliklariga ega va GaN epitaksial atmosferada yaxshi ishlashi mumkin.Bundan tashqari, SiC ning termal kengayish koeffitsienti grafitdan juda kam farq qiladi, shuning uchun SiC grafit asosining sirtini qoplash uchun afzal qilingan materialdir.
Hozirgi vaqtda umumiy SiC asosan 3C, 4H va 6H turiga kiradi va turli xil kristall turlarining SiC ishlatilishi har xil.Masalan, 4H-SiC yuqori quvvatli qurilmalar ishlab chiqarishi mumkin;6H-SiC eng barqaror va fotoelektrik qurilmalarni ishlab chiqarishi mumkin;GaN ga o'xshash tuzilishi tufayli 3C-SiC GaN epitaksial qatlamini ishlab chiqarish va SiC-GaN RF qurilmalarini ishlab chiqarish uchun ishlatilishi mumkin.3C-SiC odatda nomi bilan ham tanilganβ-SiC, va muhim foydalanishβ-SiC kino va qoplama materiallari sifatida, shuning uchunβ-SiC hozirda qoplama uchun asosiy materialdir.
Yuborilgan vaqt: 2023 yil 06-noyabr