Tavsif
Kompaniyamiz grafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bo'yicha SiC qoplama jarayoni xizmatlarini taqdim etadi, shuning uchun uglerod va kremniyni o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza SiC molekulalarini, qoplangan materiallar yuzasiga yotqizilgan molekulalarni, SIC himoya qatlamini hosil qiladi.
Asosiy xususiyatlar
1. Yuqori haroratli oksidlanish qarshiligi:
harorat 1600 S gacha bo'lganida oksidlanish qarshiligi hali ham juda yaxshi.
2. Yuqori tozalik: yuqori haroratli xlorlash sharoitida kimyoviy bug'larni cho'ktirish orqali amalga oshiriladi.
3. Eroziyaga chidamlilik: yuqori qattiqlik, ixcham sirt, nozik zarralar.
4. Korroziyaga chidamliligi: kislota, gidroksidi, tuz va organik reagentlar.
CVD-SIC qoplamasining asosiy xususiyatlari
SiC-CVD xususiyatlari | ||
Kristal tuzilishi | FCC b fazasi | |
Zichlik | g/sm³ | 3.21 |
Qattiqlik | Vickers qattiqligi | 2500 |
Don hajmi | mkm | 2~10 |
Kimyoviy tozalik | % | 99.99995 |
Issiqlik quvvati | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Sublimatsiya harorati | ℃ | 2700 |
Feleksual kuch | MPa (RT 4 ball) | 415 |
Yosh moduli | Gpa (4pt egilish, 1300℃) | 430 |
Termal kengayish (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Issiqlik o'tkazuvchanligi | (Vt/mK) | 300 |
![Semicera ish joyi](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Work-place2.jpg)
![Semicera ish joyi 2](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-work-place-22.jpg)
![Uskunalar mashinasi](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine2.jpg)
![CNNni qayta ishlash, kimyoviy tozalash, CVD qoplamasi](http://www.semi-cera.com/uploads/CNN-processing-chemical-cleaning-CVD-coating2.jpg)
![Bizning xizmatimiz](http://www.semi-cera.com/uploads/Our-service3.jpg)
-
Silikon karbid SiC qoplangan epitaksial reaktor Ba...
-
Silikon karbid qoplamali grafit ushlagichi...
-
Yarim o'tkazgichlar uchun silikon karbid RTA tashuvchi plitasi ...
-
Kvadrat kremniy karbid gofretli qayiq
-
Yuqori harorat va korroziyaga chidamli LED Si...
-
Yarimo'tkazgichli gofret uchun PSS ishlov beruvchisi ...