Mahsulot tavsifi
Bizning kompaniyamiz taqdim etadiSiC qoplamasigrafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bilan ishlov berish xizmatlari, shuning uchun uglerod va kremniyni o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza SiC molekulalarini, qoplangan materiallar yuzasida yotqizilgan molekulalarni hosil qiladi.SIC himoya qatlami.
Asosiy xususiyatlar:
1. Yuqori haroratli oksidlanish qarshiligi:
harorat 1600 S gacha bo'lganida oksidlanish qarshiligi hali ham juda yaxshi.
2. Yuqori tozalik: yuqori haroratli xlorlash sharoitida kimyoviy bug'larni cho'ktirish orqali amalga oshiriladi.
3. Eroziyaga chidamlilik: yuqori qattiqlik, ixcham sirt, nozik zarralar.
4. Korroziyaga chidamliligi: kislota, gidroksidi, tuz va organik reagentlar.
CVD-SIC qoplamasining asosiy xususiyatlari
| SiC-CVD xususiyatlari | ||
| Kristal tuzilishi | FCC b fazasi | |
| Zichlik | g/sm³ | 3.21 |
| Qattiqlik | Vickers qattiqligi | 2500 |
| Don hajmi | mkm | 2~10 |
| Kimyoviy tozalik | % | 99.99995 |
| Issiqlik quvvati | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatsiya harorati | ℃ | 2700 |
| Feleksual kuch | MPa (RT 4 ball) | 415 |
| Yosh moduli | Gpa (4pt egilish, 1300℃) | 430 |
| Termal kengayish (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Issiqlik o'tkazuvchanligi | (Vt/mK) | 300 |
-
Yuqori haroratli SiC bilan qoplangan epitaksial reaktor B...
-
Epitaksial o'sish uchun SiC qoplangan grafit barrel
-
LMJ microjet lazer texnologiyasi uskunalari
-
SiC bilan qoplangan yarimo'tkazgichli epitaksial reaktor ...
-
Grafit isitgich issiq zonasi / grafit issiq maydoni, taxminan ...
-
Reaktsiya sinterlangan Silikon karbid gofretli qayiq