MOCVD uchun SiC qoplangan grafit asosli susseptorlar

SiC bilan qoplangan grafit asosli ushlagichlarSemicera dan MOCVD uchun epitaksial o'sish jarayonlarida ajoyib ishlashni ta'minlash uchun ishlab chiqilgan. Grafit asosdagi yuqori sifatli kremniy karbid qoplamasi MOCVD (Metal Organik Kimyoviy Buxorini Depoziti) operatsiyalari davomida barqarorlik, chidamlilik va optimal issiqlik o'tkazuvchanligini ta'minlaydi. Semicera innovatsion sensorli texnologiyasidan foydalangan holda siz aniqlik va samaradorlikni oshirishingiz mumkinEpitaksiyavaSiC epitaksisiilovalar.

BularMOCVD retseptorlarikabi bir qator muhim yarimo'tkazgich komponentlarini qo'llab-quvvatlash uchun mo'ljallanganPSS etching tashuvchisi, ICP etching tashuvchisi, vaRTP tashuvchisi, ularni turli qirqish va epitaksial vazifalar uchun ko'p qirrali qilish. Semicera kompaniyasining yuqori standartlarga sodiqligi ushbu sensorlar zamonaviy yarimo'tkazgichlar ishlab chiqarishning qat'iy talablariga javob berishini ta'minlaydi.

foydalanish uchun idealLED epitaksialSusceptor, Barrel Susceptor va Monokristalli kremniy jarayonlari, bu susseptorlar turli gofret o'lchamlari, jumladan Pancake Susceptor konfiguratsiyasi uchun moslashtirilishi mumkin. Ular, shuningdek, fotovoltaik qismlarga ishlov berishda juda samarali bo'lib, ularni samarali quyosh batareyalarini ishlab chiqishda hal qiluvchi komponentga aylantiradi.

Bundan tashqari, MOCVD uchun SiC qoplangan grafit asosli susseptorlari SiC Epitaxy-da GaN uchun optimallashtirilgan bo'lib, ilg'or yarimo'tkazgich materiallari bilan yuqori muvofiqlikni ta'minlaydi. Hosildorlikni oshirishga yoki epitaksial o'sish sifatini oshirishga e'tibor qaratsangiz ham, semicera susseptorlari yuqori texnologiyali sohalarda muvaffaqiyatga erishish uchun zarur bo'lgan ishonchlilik va ishlashni ta'minlaydi.