Silikon karbid qoplamali grafit ushlagichi, gofret tashuvchisi

Qisqa Tasvir:

Semicera turli xil epitaksiya reaktorlari uchun mo'ljallangan keng qamrovli susseptorlar va grafit komponentlarini taklif etadi.

Sanoatning yetakchi OEM’lari bilan strategik hamkorlik, keng materiallar tajribasi va ilg‘or ishlab chiqarish imkoniyatlari orqali Semicera ilovangizning o‘ziga xos talablariga javob beradigan moslashtirilgan dizaynlarni taqdim etadi.Bizning mukammallikka sodiqligimiz epitaksi reaktor ehtiyojlari uchun optimal echimlarni olishingizni ta'minlaydi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Tavsif

CVD-SiC qoplamasi barqaror fizik va kimyoviy xususiyatlarga ega bo'lgan yagona tuzilish, ixcham material, yuqori haroratga chidamlilik, oksidlanishga chidamlilik, yuqori tozalik, kislota va gidroksidi qarshilik va organik reagent xususiyatlariga ega.
Yuqori tozalikdagi grafit materiallari bilan solishtirganda, grafit 400C da oksidlana boshlaydi, bu oksidlanish natijasida kukun yo'qotilishiga olib keladi, natijada atrof-muhitning periferik qurilmalar va vakuum kameralari ifloslanishiga olib keladi va yuqori toza muhitning ifloslanishini oshiradi.
Biroq, SiC qoplamasi fizik va kimyoviy barqarorlikni 1600 darajada saqlab turishi mumkin, u zamonaviy sanoatda, ayniqsa yarimo'tkazgich sanoatida keng qo'llaniladi.

FDVCDV

zcfvzxcvZSXCv

Kompaniyamiz grafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bo'yicha SiC qoplama jarayoni xizmatlarini taqdim etadi, shuning uchun uglerod va kremniyni o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza SiC molekulalarini, qoplangan materiallar yuzasiga yotqizilgan molekulalarni, SIC himoya qatlamini hosil qiladi.Hosil bo'lgan SIC grafit asosiga mahkam bog'langan bo'lib, grafit asosiga maxsus xususiyatlarni beradi, shuning uchun grafitning sirtini ixcham, porozliksiz, yuqori haroratga chidamli, korroziyaga chidamlilik va oksidlanishga chidamli qiladi.

Ilova

Asosiy xususiyatlar

1 .Yuqori toza SiC qoplangan grafit

2. Yuqori issiqlikka chidamlilik va termal bir xillik

3. Silliq sirt uchun nozik SiC kristalli bilan qoplangan

4. Kimyoviy tozalashga nisbatan yuqori chidamlilik

CVD-SIC qoplamalarining asosiy texnik xususiyatlari

SiC-CVD
Zichlik	(g/cc)	3.21
Bukilish kuchi	(Mpa)	470
Termal kengayish	(10-6/K)	4
Issiqlik o'tkazuvchanligi	(Vt/mK)	300

Qadoqlash va jo'natish

Ta'minot qobiliyati:
Oyiga 10000 dona / dona
Qadoqlash va yetkazib berish:
Qadoqlash: standart va kuchli qadoqlash
Poli sumka + Quti + Karton + Palet
Port:
Ningbo/Shenzhen/Shanxay
Bajarish vaqti: