Tantal karbid (TaC) yuqori tozaligi, yuqori harorat barqarorligi va yuqori kimyoviy qarshilikka ega bo'lgan qoplamalar

Qisqa Tasvir:

TaC qoplamasi yuqori haroratga chidamli materialning yangi avlodi bo'lib, SiC dan yaxshiroq yuqori harorat barqarorligi, korroziyaga chidamli qoplama, oksidlanishga chidamli qoplama, aşınmaya bardoshli qoplama, 2000 ℃ dan yuqori muhitda ishlatilishi mumkin, aerokosmik ultra-kosmik sohalarda keng qo'llaniladi. yuqori haroratli issiq so'nggi qismlar, yarimo'tkazgichli yagona kristalli o'sishning uchinchi avlodi va boshqa sohalar.


Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Semicera Semicera turli komponentlar va tashuvchilar uchun maxsus tantal karbid (TaC) qoplamalarini taqdim etadi.Semicera Semicera etakchi qoplama jarayoni tantal karbid (TaC) qoplamalariga yuqori tozalik, yuqori harorat barqarorligi va yuqori kimyoviy bardoshlik, SIC / GAN kristallari va EPI qatlamlarining mahsulot sifatini yaxshilash imkonini beradi (Grafit bilan qoplangan TaC sensori) va asosiy reaktor komponentlarining ishlash muddatini uzaytirish.Tantal karbidli TaC qoplamasidan foydalanish chekka muammosini hal qilish va kristall o'sishi sifatini yaxshilashdir va Semicera Semicera tantal karbid qoplama texnologiyasini (CVD) hal qilib, xalqaro ilg'or darajaga yetdi.

Ko'p yillik rivojlanishdan so'ng Semicera texnologiyasini zabt etdiCVD TaCAR-GE bo'limining birgalikdagi sa'y-harakatlari bilan.SiC gofretlarining o'sish jarayonida nuqsonlar paydo bo'lishi oson, lekin foydalanishdan keyinTaC, farq sezilarli.Quyida bitta kristall o'sishi uchun TaC bo'lgan va bo'lmagan gofretlarni, shuningdek Simicera qismlarini taqqoslash mumkin.

línjín_20240227150045

TaC bilan va holda

chàngjín_20240227150053

TaC dan foydalangandan so'ng (o'ngda)

Bundan tashqari, Semicera kompaniyasining TaC qoplama mahsulotlarining xizmat qilish muddati SiC qoplamasiga qaraganda uzoqroq va yuqori haroratga chidamli.Uzoq vaqt davomida laboratoriya o'lchovlari ma'lumotlaridan so'ng, bizning TaC uzoq vaqt davomida maksimal 2300 daraja Selsiyda ishlashi mumkin.Quyida bizning namunalarimizdan ba'zilari keltirilgan:

línjín_20240227145010

(a) PVT usuli bo'yicha SiC monokristalli quyma o'stirish moslamasining sxematik diagrammasi (b) Yuqori TaC bilan qoplangan urug'lik qavs (shu jumladan SiC urug'i) (c) TAC bilan qoplangan grafit yo'riqnomasi

ZDFVzCFV
Asosiy xususiyat
Semicera ish joyi
Semicera ish joyi 2
Uskunalar mashinasi
CNNni qayta ishlash, kimyoviy tozalash, CVD qoplamasi
Bizning xizmatimiz

  • Oldingi:
  • Keyingisi: